和以往距离多年推出一代全新工艺制程不同，现在两大晶圆代工厂台积电及三星都改变了打法，一项严重工艺制程进行部分优化晋级之后，就会以更小的数字命名。作为韩系芯片大厂龙头的三星在工艺制程方面十分急进，6nm、5nm、4nm、3nm 等都已势不可当预备量产，而其对手台积电在较早前就宣告3nm制程开展适当顺畅，后续的2nm工艺研制也开端发动，估计 2024年就可以投产。而现在Intel 10nm工艺制程才刚刚获得打破，现在看，Intel在制程工艺上是很难追的上台积电了。
虽然10nm以下芯片制作工艺的打破现已益发困难，但台积电作为芯片代工的领导企业并没有因此而放缓研制的脚步。在7月时已宣告3nm制程的开发进展顺畅，而且现已与前期客户就技能界说进行了触摸，估计3nm制程可进一步稳固台积电在职业的领导地位。
为了满意未来工艺制程的开展及投产，台积电董事会已同意拨款拓宽新工艺制程研制与晋级、新工厂建造与产能扩大等，投资额约65亿美元。别的因为7nm工艺产能已获AMD、苹果、华为、高通等多家大客户都活跃选用，年末前将扩招 3000 人，并加快推动5nm工艺。
据了解，台积电3nm制程将会用上全新GAA（Gate-All-Around）技能，声称能下降运用能耗、且缩小面积，进步效能，发动2nm工艺的研制的工厂将设置在坐落台湾新竹的南边科技园，估计最快研制周期为4年，将在2024 年投入生产。
在 2nm制程工艺正式研制成功之前，台积电将用5nm、3nm 制程工艺进行过渡，依照台积电发布的时间表，5nm制程工艺将于2019 - 2020年推出，而 3nm制程工艺将于 2021- 2022 年推出。
